發(fā)布時間：2026-01-28 14:32:27 責任編輯：漢思新材料閱讀：86
近日，東莞市漢思新材料科技有限公司（以下簡稱“漢思新材料”）成功斬獲“一種溫控晶振小間距芯片填充膠及其制備方法”發(fā)明專利（公開號：CN121343527A）。依托突破性創(chuàng)新配方設(shè)計，該產(chǎn)品可實現(xiàn)≤50微米窄間隙場景下的全浸潤式填充，從根源上徹底杜絕空洞缺陷，為超薄、小間距芯片封裝模組提供高可靠性核心技術(shù)支撐，填補了溫控晶振領(lǐng)域窄間隙填充的技術(shù)空白。
精準錨定核心需求，攻克封裝行業(yè)痛點
此次專利技術(shù)以溫控晶振（TCXO）等高端微型電子元件為核心應(yīng)用目標，針對性解決其封裝過程中的關(guān)鍵可靠性難題。作為通信、導航、5G基站、AI服務(wù)器等設(shè)備的核心時鐘源，溫控晶振對封裝完整性、抗熱應(yīng)力及耐腐蝕性要求極高，而小間距封裝場景下的空洞缺陷，正是制約其性能升級的核心瓶頸。
在高密度、小間距（＜100μm）芯片封裝領(lǐng)域，傳統(tǒng)底部填充膠普遍存在粘度偏高、流動性不足、脫泡不徹底等問題，易在芯片與基板間隙殘留氣泡或形成空洞。這些缺陷會直接導致熱應(yīng)力集中、焊點開裂、潮氣侵入腐蝕等連鎖反應(yīng)，最終引發(fā)器件失效，嚴重影響終端產(chǎn)品的穩(wěn)定性與使用壽命。
多維創(chuàng)新突破，構(gòu)筑技術(shù)競爭壁壘
漢思新材料憑借多年在電子膠粘劑領(lǐng)域的技術(shù)沉淀，通過材料配方與工藝的協(xié)同優(yōu)化，形成五大核心創(chuàng)新點，實現(xiàn)窄間隙填充技術(shù)的跨越式提升：
? 低粘高流體系：采用定制化低粘度樹脂基質(zhì)，搭配高效流動促進劑，確保膠液在≤50微米窄間隙內(nèi)快速完成毛細浸潤填充，無死角覆蓋；
? 復合填料優(yōu)化：創(chuàng)新采用納米/微米復合球形二氧化硅填料，精準調(diào)控粒徑分布，既提升膠層致密性，又保障填充流動性，杜絕間隙殘留；
? 高效脫泡方案：通過引入專用消泡/脫泡助劑，結(jié)合真空混合工藝，從源頭消除膠液內(nèi)部氣泡，徹底規(guī)避空洞產(chǎn)生；
? 熱性能精準匹配：嚴格控制固化收縮率與熱膨脹系數(shù)（CTE），實現(xiàn)與溫控晶振、PCB基板的熱性能高度適配，降低熱應(yīng)力損傷；
? 工藝兼容性強：支持圍壩填充（Dam & Fill）工藝，可精準控制膠液范圍，有效防止溢膠，適配自動化量產(chǎn)需求。
產(chǎn)業(yè)化前景廣闊，賦能高端制造升級
該專利技術(shù)的成功產(chǎn)業(yè)化，將為高端電子封裝領(lǐng)域帶來多重價值突破。一方面，可顯著提升高頻通信設(shè)備、車規(guī)級晶振、AI服務(wù)器時鐘模塊等產(chǎn)品的封裝良率與長期可靠性，助力終端設(shè)備向更輕薄、高密度、高穩(wěn)定性方向升級；另一方面，將打破進口高端填充膠在該領(lǐng)域的壟斷格局，推動國產(chǎn)電子新材料在先進封裝領(lǐng)域的深度替代與自主可控。
憑借優(yōu)異的性能表現(xiàn)，該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于高端智能手機、柔性OLED、可穿戴設(shè)備、車載電子等終端場景，為電子行業(yè)突破小間距封裝瓶頸、提升產(chǎn)品核心競爭力提供全新技術(shù)路徑。
深耕技術(shù)創(chuàng)新，引領(lǐng)國產(chǎn)材料崛起
作為電子膠粘劑領(lǐng)域的深耕者，漢思新材料始終以技術(shù)創(chuàng)新為核心驅(qū)動力，積累了多項核心專利與資質(zhì)認證，構(gòu)建了完善的高端封裝材料技術(shù)體系。此次專利的成功申請，不僅彰顯了企業(yè)在小間距封裝材料領(lǐng)域的深厚技術(shù)積淀，更標志著我國在溫控晶振專用填充膠領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)關(guān)鍵技術(shù)突破。
未來，漢思新材料將持續(xù)聚焦電子封裝領(lǐng)域的技術(shù)痛點與市場需求，加速推動專利成果產(chǎn)業(yè)化落地，以更精準、高效的材料解決方案賦能半導體、顯示面板、車載電子等高端制造業(yè)升級，助力我國電子新材料產(chǎn)業(yè)突破核心技術(shù)壁壘，實現(xiàn)高質(zhì)量發(fā)展。
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